Innovacera’s Silicon Nitride (Si₃N₄) Substrates combine exceptional thermal conductivity, high mechanical strength, and excellent fracture toughness, providing outstanding reliability for high-power electronic and thermal management applications. With a thermal expansion coefficient closely matched to silicon and superior resistance to thermal shock, these substrates maintain stable performance under extreme conditions. Their precision-engineered surfaces and customizable specifications make them ideal for IGBT power modules, high-power heat sinks, and advanced wireless modules.

Please contact us if you require related products or customization.

Innovaceraの窒化ケイ素（Si₃N₄）基板は、優れた熱伝導性、高い機械的強度、そして卓越した破壊靭性を兼ね備え、高出力電子機器や熱管理用途において抜群の信頼性を提供します。シリコンとほぼ一致する熱膨張係数と優れた耐熱衝撃性により、これらの基板は過酷な条件下でも安定した性能を維持します。精密に設計された表面とカスタマイズ可能な仕様により、IGBTパワーモジュール、高出力ヒートシンク、および高度なワイヤレスモジュールに最適です。

関連製品やカスタマイズをご希望の場合は、お問い合わせください。