BN-AlNセラミックは、 窒化ホウ素（BN） と窒化アルミニウム（AlN） の粉末を焼結して作られます。優れた電気絶縁性、熱伝導性、高強度、耐熱衝撃性、ハロゲンガスプラズマに対する強い耐性を備えており、半導体製造装置部品や効果的な放熱が求められる部品など、幅広い用途に使用されています。
イオン源は、真空チャンバー内で原子イオンと分子イオンを生成する装置です。窒化アルミニウム/窒化ホウ素複合材料は、優れた電気絶縁性、熱伝導性、真空密閉性を備え、ガス放出も少ないため、イオン源においてヒートシンクや熱伝達プレートとして機能します。
素材のメリット:
- 高い機械的強度。
- 高い熱伝導率。
- 低い熱膨張率。
- 低い誘電損失。
- 優れた電気絶縁性。
- 高い耐食性 – 溶融金属に濡れません。
- 優れた加工性 – BN-AlNは高精度で複雑な形状に加工できます。
- 優れた真空密閉性を備え、ガス放出もほとんどありません。
- 高周波特性により、可視赤外線を容易に透過します。
材料特性:
| 特性 | 単位 | BAN |
| 主な成分 | / | BN+ALN |
| 色 | / | グレイッシュグリーン |
| 密度 | g/cm3 | 2.8~2.9 |
| ３点曲げ強度 | MPa | 90 |
| 圧縮強度 | MPa | 220 |
| 熱伝導率 | W/m·k | 85 |
| 熱膨張係数 (20-1000℃) | 10-6/K | 2.8 |
| 最高使用温度 | 大気中℃ | 900 |
| 不活性ガス中 ℃ | 1750 | |
| 高真空中 ℃ | 1750 |
応用分野
- ヒートシンク
- 真空部品
- 低誘電率および低誘電正接が求められる部品
- 低熱膨張係数が求められる部品
- 電気絶縁および放熱が求められる電子部品
- ホール効果スラスタ用電気推進放電チャネル
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