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January 01,1970
热压氮化铝
关于热压氮化铝(AlN) 热压氮化铝陶瓷采用真空热压烧结而成,氮化铝纯度高达99.5%(不含任何烧结助剂),热压后密度可达3.3g/cm3,具有优良的导热性和较高的电绝缘性,导热系数可达90W/(m·k)~210W/(m·k)。 高温高压后氮化铝陶瓷机械强度和硬度均优于流延法、干压法和冷等静压法。 热压氮化铝陶瓷耐高温、耐腐蚀,不会被各种熔融金属和熔融盐酸侵蚀。 氮化铝(AlN)的典型应用 冷却罩、磁共振成像设备 作为高频声表面波器件的基片、大尺寸大功率散热绝缘基片 半导体、集成电路静电吸盘、加热盘 红外、微波窗口材料 化合物半导体单晶生长用坩埚 高纯氮化铝薄膜靶材 特点 热导率高 膨胀系数可与半导体硅匹配芯片 高绝缘电阻和耐压强度 低介电常数和低介电损耗 高机械强度 热压烧结最大尺寸。 长500 x宽500 x高< 350 mm 外径500 x高< 500 mm 我们可以根据需要提供热压氮化铝(HPAN)。 订单信息 询价和订单应包括以下信息: 1.尺寸或图纸 2.数量 包装和储存 标准包装:纸箱密封袋。可根据要求提供特殊包装。 典型规格 纯度: >99% 密度: >3.3 g/cm3 抗压强度: 3,350MPa 抗弯强度: 380MPa 热导率: 90W/(m·K) 热膨胀系数: 5.0 x 10-6/K 最高温度: 1,800°C 体积电阻率: 7×1012 Ω·cm