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January 01,1970
热压氮化铝用于半导体制造设备
热压氮化铝 (AlN) 陶瓷在半导体制造设备中用作晶圆加热板和晶圆固定静电吸盘。 热压 ALN 氮化铝陶瓷的优点: – 高纯度 – 电绝缘体 – 高导热性 – 关键热管理材料 – 减少颗粒物产生 – 耐腐蚀/侵蚀 – 可控电气性能 性能: 性能 单位 值 抗弯强度,MOR (20 °C) MPa 300-460 断裂韧性 MPa m1/2 2.75-6.0 热导率 (20 °C) W/m K 100-170 热膨胀系数 1 x 10-6/°C 3.3-5.5 最高使用温度 °C 800 介电强度 (6.35mm) ac-kV/mm 16.0-19.7 介电损耗 1MHz, 25 °C