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News | January 01,1970
半导体晶圆中的 TTV、弯曲、翘曲是什么

在晶圆制造中，TTV、弯曲度和翘曲度是决定晶圆平整度和厚度均匀性的重要参数，对关键的芯片制造工艺有重大影响。     A.TTV、弯曲度和翘曲度的定义和测量方法   1.TTV（总厚度变化）   定义： TTV 是指晶圆直径上最大厚度与最小厚度之间的差值，用于评估厚度均匀性。   测量： 在非夹紧状态下测量，计算晶圆中心表面与参考平面之间的最小和最大距离偏差，包括凹凸变化。   重要性： TTV 确保在加工过程中厚度分布均匀，防止对后续步骤和最终产品性能产生不利影响。   2.弯曲度 定义： 弯曲度表示晶圆的曲率，表示中心和边缘之间的垂直距离变化。   测量： 在独立状态下，晶圆背面作为参考平面，测量晶圆表面最高点和最低点相对于该平面的偏差。   重要性： 弯曲度是评估晶圆质量和可靠性的关键参数。较低的弯曲度值通常表示表面更干净、更平坦，加工过程中的缺陷更少。   3.Warp   定义： Warp 指晶圆表面的整体扭曲或不规则变形，不限于局部曲率。   测量： 以晶圆表面合格质量区域内所有点的截距和最小的表面为参考平面，测量表面与参考平面的最大距离与最小距离之间的偏差。   重要性： WARP 是衡量晶圆整体平整度的关键指标，对光刻、蚀刻等工艺至关重要。   B.TTV、Bow 和 Warp 之间的区别   1.TTV：关注厚度变化，与曲率或扭曲无关。   2.Bow：关注整体曲率，主要考虑中心和边缘之间的弯曲。   3.翘曲：包括晶圆表面的整体曲率和扭曲。 虽然这些参数与晶圆的几何特性有关，但它们测量和描述不同的方面，每个方面都对半导体工艺和晶圆处理产生独特的影响。   C.TTV、弯曲和翘曲对半导体工艺的影响  
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News | January 01,1970
What is TTV, Bow, Warp in Semiconductor Wafers

In wafer manufacturing, TTV, Bow, and Warp are essential parameters that determine wafer flatness and thickness uniformity, significantly impacting critical chip fabrication processes.     A.Definitions and Measurement Methods of TTV, Bow, and Warp   1.TTV (Total Thickness Variation)   Definition: TTV refers to the difference between the maximum and minimum thickness across the diameter of a wafer, assessing
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News | January 01,1970
用于OLED和MBE扩散室的热解氮化硼 (PBN) 环

热解氮化硼 (PBN) 是一种先进的陶瓷，可以以高密度生产出纯度达 99.99% 的产品。它是由氨和卤化硼在高温高真空条件下通过化学气相沉积 (CVD) 工艺制成的：NH3 + BX3 = BN + 3HX，可以制成 PBN 板，也可以直接制成 PBN 最终产品，如坩埚、舟皿、涂层等。 加热元件由合金丝构成，由 PBN 环支撑，可在坩埚内提供出色的温度均匀性，即使在坩埚边缘也能实现高加热效率。坩埚易于更换。
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News | January 01,1970
半导体用高纯度PBN垫圈

热解氮化硼也称为PBN。它也具有与热压氮化硼陶瓷相同的六方晶体结构，但生产工艺不同。PBN采用化学气相沉积（CVD）生产，无需经过传统的热压烧结工艺。纯度高达99.99%。得益于高纯度、良好的热稳定性和化学惰性，PBN陶瓷适用于半导体元件或真空系统。广泛应用于制作化合物半导体（如GaAs、InP等）单晶生长用陶瓷坩埚、分子束外延用坩埚、OLED用坩埚等。 PBN陶瓷的主要特性 导热性好 绝缘电阻高 在宽温度范围内具有高介电强度。 极纯 不润湿 无毒 与大多数其他化合物无反应 耐高温和快速冷却
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News | January 01,1970
六方氮化硼（HBN）是导体还是绝缘体？

六方氮化硼是一种应用范围非常广泛的硼产品，对于它，很多人非常关心的问题是六方氮化硼是导体还是绝缘体？ 其实，六方氮化硼（HBN）是典型的绝缘体，室温下的电阻率可达1016-1018Ω.cm，即使在1000℃下，电阻率仍有104-106Ω.cm。 六方氮化硼（HBN）的绝缘性能很好，导热性能也很好，因此被广泛应用于各种电子材料中，起到导热和绝缘的作用。 氮化硼陶瓷晶体属于六方晶系，其结构与石墨相似，性质也有很多相似之处，所以又被称为“白石墨”。 具有良好的耐热性、热稳定性、热导率、高温介电强度，是理想的散热材料和高温绝缘材料。 典型应用包括以下几点： 高温炉的电极绝缘件、保护管；多晶硅铸锭炉用氮化硼绝缘部件、半导体散热绝缘件、高温轴承、热套管和玻璃成型模具、熔炼半导体的坩埚、熔融金属用高纯氮化硼坩埚；氮化物荧光粉、氮化硅、氮化铝等陶瓷及粉末烧结用坩埚、承烧板等。
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News | January 01,1970
适用于熔炉、电气、微波和半导体元件的热解氮化硼 (PBN) 圆盘

热解氮化硼（PBN）是一种先进的陶瓷，热解氮化硼（PBN）圆盘和其他热解氮化硼产品是通过化学气相沉积（CVD）工艺在模具上合成的，使用BCl3和NH3在高温低压下。PBN产品非常纯净，因为气体材料的纯度更容易控制。通常，PBN产品的总杂质含量小于100 ppm，即纯度不低于99.99%。如此高的纯度水平。它是炉子、电气、微波和半导体元件的理想材料。
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News | January 01,1970
氮化硼陶瓷-热压烧结

氮化硼（BN）又被称为白石墨，因为它是白色的，并且具有与石墨相同的特性。它主要分为两种形态，一种是六方结构，一种是立方结构。六方结构在高温高压环境条件下可以转化为立方结构。氮化硼陶瓷的生产主要采用两种方法，一种是冷压烧结，一种是热压烧结。下面简单介绍一下热压烧结方法。将氮化硼细粉与一定量的添加剂混合，对氮化硼细粉颗粒的大小有严格的要求，必须在5微米以内。预测静压机的压力，试验压力在100~150M…
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News | January 01,1970
什么是陶瓷注射成型（CIM）？

陶瓷注塑成型 (CIM) 是指使用与塑料类似的注塑成型工艺来制造定制陶瓷部件的过程。将氧化铝粉末和某些粘合剂的颗粒混合物预热，然后在高压下压入定制模具中，以形成符合客户特定部件设计的部件。将部件从模具中取出后，还要经过几个额外的工序，包括高温烧结。 陶瓷注塑成型中使用的材料 说到陶瓷注塑成型中的特定材料，市场上有一系列可用的选择。这些材料具有不同的特性，特别是在硬度、密度、温度稳定性等方面。用于陶瓷注塑成型的最可靠材料包括： * 氧化铝陶瓷：这是陶瓷注塑成型中最广泛使用的材料之一。其特点包括高水平的电绝缘性、耐腐蚀性和耐热性以及机械强度。 * 氧化锆陶瓷：氧化锆可能是最坚固的陶瓷材料，可用于各种应用，包括医疗和牙科用途。由于其特性，氧化锆具有很强的耐磨性和抗裂性，具有出色的损伤容限度。它在高压情况下也非常稳定。 * 氮化铝：氮化铝结合了高导热性和强电阻，使氮化铝成为许多电子应用的绝佳解决方案。 值得注意的是，还有其他类型的氧化铝和氧化锆陶瓷可供使用。例如，一种可用的材料是氧化铝增韧氧化锆，具有高耐磨性和出色的硬度。 应用 CIM 工艺的应用几乎是无限的。由于陶瓷具有高抗弯强度、硬度和化学惰性，因此它生产出的产品具有很强的耐腐蚀性、耐磨性和长寿命。陶瓷产品广泛应用于电子组装、工具、光学、牙科、电信、仪器仪表、化工厂和纺织工业。
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News | January 01,1970
陶瓷加热元件简介

陶瓷加热元件是一种电阻性陶瓷，通常经过金属涂层处理。陶瓷加热元件根据电流通过陶瓷元件的阻力产生热量。这样做是为了通过对流或强制空气为房间或其他区域提供热量。 陶瓷棒加热器在许多方面都优于线加热元件或其他裸金属元件。它们通常比线加热元件使用寿命更长，提供更均匀的热量。线加热元件最终会燃烧并停止产生热量，如果它们与易燃材料接触，可能会引起火灾。 陶瓷加热元件的一个好处是它可以在运行过程中更均匀地分配热量。这样可以将电阻产生的更多热量分配到被加热的房间或区域，而不是浪费掉。此外，陶瓷元件不会像金属丝元件那样热，因此如果无意中接触，它们不太可能引起烧伤。它们也不太可能因接触环境中的易燃材料而引起意外火灾。 陶瓷加热元件的另一个优点是它们通常比传统的丝状加热元件更耐用，后者通常在经过多次加热循环后会变脆，可能会破裂或断裂，导致加热器无法工作。陶瓷加热元件可以承受数万次加热和冷却循环，除非受到极端压力（例如掉落或直接受到异物撞击），否则不会破裂或断裂。因此，陶瓷加热器通常用于不需要大量维护或细心护理的家庭。 陶瓷加热元件的最后一个优点是成本。它们易于制造和分销，而且由于它们比传统加热元件更好，因此它们已成为大众市场上出售的低成本加热器的主流，供公众或私人消费。陶瓷加热元件可以提供更好的质量和耐用性，以及更好、更一致和均匀的加热。由于这些特点，在各种加热系统中使用陶瓷加热元件已变得很常见。
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News | January 01,1970
氮化铝的性质及应用

氮化铝具有良好的抗氧化性、耐化学性、抗热震性、机械强度、介电常数低、热膨胀系数与硅晶体相近、热导率高的特点，在机械等应用领域有广泛的应用。 下面是详细性能： 热性能 AlN的理论热导率为320W/m•K，制备的多晶AlN的热导率一般为100~260W/m•K，室温热导率是Al2O3的10~15倍；在25~400℃范围内，纯AIN的热膨胀系数为4.4×10-6K-1，与硅的热膨胀系数（3.4×10-6K-1）相近。 电性能 纯AIN的室温阴极率大于1014Ω•cm，是良好的绝缘材料；介电常数约为8.0（1MHz），与Al2O3相当；介电损耗为10-4（1MHz），介电耐压为14KV•mm-1，机电耦合系数高（0.8%），有压电性和负屈服性。 力学性能 室温下致密AIN陶瓷的维氏硬度为12GPa，莫氏硬度为7~8，杨氏模量为308GPa，抗弯强度可达350MPa。室温强度降低约20%，而热压Si3N4、Al2O3一般降低50%。 化学性质 AIN具有优良的耐高温腐蚀性能，不被铝、铜、银、铅、镍等多种金属润湿，在砷化镓等一些熔盐中也能稳定存在；AIN吸湿性强，易与空气中的水蒸气发生反应；在空气中，AIN的起始氧化温度为700~800℃，常压下，AIN在2260-2500℃不熔化但热分解。 其他性能 蓝光及紫外区具有透光性、良好的抗电磁辐射和电子、离子轰击性能，是已报道的相关材料中表面声波传播速度最高的材料。 氮化铝的应用 在民用领域，氮化铝已广泛应用于集成电路、汽车、高铁、电力、半导体等领域，如集成电路基板、IGBT控制模块、晶圆加工用静电吸盘、大功率LED散热器等。同时还适合制作耐热材料、薄膜材料、复合材料等。 如果您想了解更多，请联系我们。
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News | January 01,1970
Cynosure激光器陶瓷反射器

Innovacera 陶瓷反射器在 Ruby 和 Nd:YAG 激光泵浦腔中效果特别好，是金属涂层反射器的一种极具成本效益的替代品。它们还广泛用作高强度灯外壳中的反射器。 陶瓷反射器可以在腔体内部和外表面上釉，使用高反射釉料密封陶瓷，防止冷却液进入，冷却液可能会改变折射率、引入杂质并降低反射率和效率。釉料还可以充当过滤器，我们的黄色釉面反射器已在某些应用中成功使用。可见的黄色与光谱色紫色和靛蓝色互补，可有效吸收高达约 450 nm 的波长。
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News | January 01,1970
セラミックドライバ半導体製造専用工具

セラミックドライバは、感受性電子機器の素子を調整し、整列するために設計されたツールです。セラミックアライメントドライバはアルミナセラミック (Al₂O₃)とジルコニアセラミックなどの良質なセラミックス材料から作られ、多種の利点があリます。     セラミック材料は静電気防止、磁気無、インダクタンス無、耐食性などの特徴があります。   ジルコニアセラミックは高温に耐えられるので、これらのドライバーは熱が必要な環境で使用するのに適しています。     セラミックドライバ性能： 技術データ 技術項目 主な成分 Zro2 物理性能 密度 g/cm3 ≥6.0 吸水率 % 0 機械的な性能 硬さ HV 1400 曲げ強度 Kgf/mm2 11.000 圧縮強度 Kgf/mm2 25.000 温度特性 熱膨張係数 ℃ 9.5*10-6  0-1000℃ 耐熱衝撃性 T（℃） 360.000 熱伝導率 W/m.k(2 5℃.300℃ 3.000 体積抵抗率 cm … 20℃ >10 12 100℃ …       用途： 半導体製造