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News | January 01,1970
用于烧结氮化物陶瓷的陶瓷氮化硼烧结器

氮化硼纯度高、不粘、使用寿命长，是烧结氮化铝和氮化硅基板的良好选​​择。而且它不会对烧结过程造成污染。 六方氮化硼具有较低的膨胀系数和较高的热导率，因此具有优异的抗热震性，在2000℃下循环使用数百次也不会损坏。BN的膨胀系数与石英相当，但热导率却是石英的10倍。 氮化硼的特点： 纯度高，99.7% 量产时质量稳定 高温下不变形 最高工作温度超过2100℃ 耐高热冲击 所有这些特点使得氮化硼成为烧结领域非常好的材料。我们的氮化硼是 Denka NB-1000 的替代品。 选择我们的优势： 价格有竞争力 交货时间短（20-35 天） 质量稳定 根据客户对质量的反馈快速进行调整。 我们可以制作的最大尺寸：1400x400x100 毫米
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News | January 01,1970
AIN晶圆 - 最受欢迎的陶瓷基板之一

INNOVACERA 提供AlN 陶瓷基板。AlN 基板是最受欢迎的陶瓷基板之一，具有优异的耐热性、高机械强度、耐磨性和较小的介电损耗。AlN 基板的表面非常光滑，孔隙率低。氮化铝具有更高的热导率，与氧化铝基板相比，大约高 7 到 8 倍。AlN 基板是一种出色的电子封装材料。 INNOVACERA 提供适用于各种应用的 AlN 基板，包括薄膜和厚膜微电子、高功率和高频电路射频/微波元件以及电容器或电阻器，请联系我们获取更多陶瓷晶片产品信息。 AlN 晶圆特性： 化学式 AlN 颜色 灰色 密度 3.3 g/cm3 热导率 160 ~ 190 W/m.K 热膨胀 (x10 -6/°C) 2-3.5 介电常数强度 ≥17KV/MM 介电常数（1MHZ 时） 8-10 损耗角正切（x10 -4 @1MHZ） 2.0 体积电阻率 ≥10^14 ohm-cm AlN 晶圆特性： 直径 Ø 16 / Ø 20 / Ø 30 / Ø40 /
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News | January 01,1970
氮化硼陶瓷坩埚

氮化硼的突出特点> 热膨胀系数好，抗热震性好。 导热系数是石英的10倍，可降低因温度急剧变化而破裂的风险。所以即使经过20~1200℃多次循环也没有问题。 氮化硼与酸、碱、玻璃、大部分金属均不发生反应，机械强度较低，仅略高于石墨，但在高温下没有荷重软化现象，可用一般金属加工机加工。适用于熔炼、蒸发金属坩埚、器皿、液态金属输送管道、铸钢模具等。 氮化硼坩埚的分类 PBN坩埚 PBN坩埚无需经过传统的热压烧结工艺，也不需要添加任何烧结剂，纯度高（99.99%以上），真空下工作温度高达1800度，气氛保护下工作温度可达2100度（通常为氮气或氩气），多用于蒸发/分子束外延（MBE）/GaAs晶体生长。 烧结BN坩埚 烧结BN坩埚是以六方氮化硼与烧结助剂为原料，经成型后高温烧结而成。 具有良好的耐热性、热稳定性、热导率、高温介电强度。因此能抵抗大部分熔融金属的侵蚀。 烧结BN坩埚含有烧结助剂（1~6wt%），纯度不如PBN坩埚高。适合制作大尺寸坩埚。在氩气或氮气等惰性气体中使用最高温度为2800℃；在氧气中稳定性较差，只能在900℃以下使用。 氮化硼坩埚的应用 作为半导体制造工艺等严格环境条件下使用的材料，非常合适。 Ⅴ族半导体：砷化镓、磷化镓、磷化铟。 还可制作绝缘材料或各种加热器的玻璃器具、加热管套以及高温高频、高压散热材料。
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News | January 01,1970
Innovacera（英诺华）陶瓷快速成型服务，适用于 OEM 陶瓷零件

OEM 陶瓷部件的快速原型制作有助于减少等待时间并节省运行时间。对于一些研究和开发的项目，最终的部件可能会显示一些设计变化，否则如果需要，就意味着调整甚至报废工具，快速原型制作可以节省开发时间和项目成本。快速原型制作陶瓷组件还提供了一种以合理的成本和生产时间生产少量 OEM 部件的方法，可直接从您的 CAD 文件进行工作。 Innovacera 提供陶瓷快速成型服务，这可让您在投入昂贵的新工具之前验证新设计是否可行。 我们可以通过精密 CNC 加工中心根据您的 CAD 或 SolidWorks 设计文件处理您的陶瓷部件，从由我们专门开发的可加工氧化铝陶瓷、氧化锆陶瓷、氮化硅、氮化铝、氮化硼和可加工玻璃陶瓷材料制成的毛坯中切割出您的定制组件。Innovacera 通常备有毛坯库存，因此可以快速生产产品；这也使得设计变更能够快速周转，从而实现产品优化。 Innovacera 还提供从原型到小批量生产的一站式服务。 Innovacera 工厂拥有热压干燥、CIP、压装、陶瓷注塑、CNC 加工和其他工艺，以支持小批量生产。 陶瓷快速成型的应用受到工程陶瓷和传统陶瓷的进步的推动，因为传统陶瓷的复杂形状的制作方法有限。陶瓷具有许多出色的物理和化学性能，吸引了大量研究人员的关注，以寻找这种材料的新工业应用，例如用于半导体、激光、真空、分析、薄膜沉积设备部件、传感器部件和电绝缘体部件等的组件。
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News | January 01,1970
半導体業界におけるセラミック素子の技術的応用

技術セラミックス部品は半導体製造装置の不可欠な一部であり、技術セラミックス部品は純度が高く、微量金属含有量が低いことを意味し、これはそれらがCVD、PVD、プラズマエッチングとイオン注入のプロセスチャンバ材料または内部プロセス表面は、その強誘電性が非常に有益であるため、半導体産業に広く応用されています。 半導体業界は、アルミナセラミックス（AL 2 O 3）、窒化アルミニウム（ALN）、多孔質セラミックス、窒化ホウ素（BN）、熱分解窒化ホウ素（PBN）、炭化ケイ素（SiC）を含む先進的な技術セラミックスを使用しています。PBNは主に金属酸化物（MOCVD）堆積ツール中のるつぼに用いられ、主な単結晶成長方法はLECとVGFであるため、PBN LECとVGFつぼが必要です。PBN分子ビームエピタクシー（MBE）るつぼは、現在世界で最も重要なIII−V族およびII−VI族半導体結晶エピタキシャル成長プロセスの1つです。PBNるつぼは、このプロセスにおける蒸発元素と合成材料の最適な容器です。蒸発るつぼの周囲のPBNリングはOLED装置に使用されます。 半導体業界で多く使用されているセラミック部品は次の通りです： PVD及びMOCVD装置用窒化ホウ素セラミック絶縁体部品。 多孔質セラミックスは真空チャックに広く用いられている。 ICパッケージ用の金属化セラミックス部品。 アルミナセラミックと窒化アルミニウムは、通常、室内の静電チャックに使用されます。当社はエンドエフェクタ用のセラミックウエハ（一般にロボットの手と呼ばれる）を製造し、セラミックエンドエフェクタは良好な剛性と高強度を持っているため、ロボットアームはより早く最終位置まで安定することができます。エンドエフェクタは、位置間で半導体ウエハを処理したり移動したりするためのロボットアームの端を構成しています。 セラミック材料の選択は、曝露される堆積化学的性質に依存します。例えば、プラズマを使用する場合は、少なくとも99.5%のアルミナを使用しなければならないです。プラズマ耐食性は半導体製造装置における部品の主な特性です。 窒化アルミニウム（AlN）は共有結合化合物であり、六方晶ウルツ鉱構造、格子パラメータa=3.114及びc=4.986を有します。色は通常グレーであり、典型的なIII−Vワイドバンドギャップ半導体材料です。 窒化アルミニウムセラミックスは強度が高く、体積抵抗率が高く、絶縁耐圧が高く、熱膨張係数が大きく、シリコンとの整合性が良いなどの特徴があります。これらは半導体基板、セラミック電子基板、構造パッケージ材料に最適です。電子業界での潜在力は大きいです。 当社は2012年に設立された先進的なセラミック素子メーカーで、セラミック業界で豊富な経験を持ち、優秀なチームが製品の品質と検査を厳格に制御しています。デルは、製品を超えるカスタマイズソリューションを提供しています。私たちはお客様が協力関係を構築し、私たちと素晴らしい未来を創造することを心から歓迎します。 詳細については、次の方法でお問い合わせください： 厦門英诺华（イノファ）新材料有限公司 中国福建省厦门市火炬高新区嘉禾路588号6楼A座 電話：86-592-5589730 メール：sales@innovacera.com URL：www.innovacera.com
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News | January 01,1970
技术陶瓷元件在半导体行业中的应用

技术陶瓷部件是半导体制造设备不可或缺的一部分，技术陶瓷部件纯度高，微量金属含量低，这意味着它们可以构成 CVD、PVD、等离子蚀刻和离子注入的工艺室材料或内部工艺表面，其强介电性能非常有益，因此在半导体工业中得到广泛应用。 半导体行业使用先进的技术陶瓷，包括氧化铝陶瓷 (AL2O3)、氮化铝 (ALN)、多孔陶瓷、氮化硼 (BN)、热解氮化硼 (PBN) 和碳化硅 (SiC)。 PBN主要用于金属氧化物（MOCVD）沉积工具中的坩埚，主要的单晶生长方法是LEC和VGF，因此需要PBN LEC和VGF坩埚。PBN分子束外延（MBE）坩埚是当今世界上最重要的III-V族和II-VI族半导体晶体外延生长工艺之一。PBN坩埚是该工艺中蒸发元素和合成材料的最佳容器。蒸发坩埚周围的PBN环用于OLED设备。 更多用于半导体行业的陶瓷零件如下： 用于 PVD ​​和 MOCVD 设备的氮化硼陶瓷绝缘体部件。 多孔陶瓷广泛用于真空卡盘。 用于 IC 封装的金属化陶瓷部件。 氧化铝陶瓷和氮化铝通常用于室内部的静电卡盘。Innovacera 制造用于末端执行器的陶瓷晶圆（通常称为机器人的手），陶瓷末端执行器具有良好的刚度和高强度，因此机器人手臂可以更快地稳定到最终位置。末端执行器构成机器人手臂的末端，用于在位置之间处理和移动半导体晶圆。 陶瓷材料的选择取决于其将要暴露的沉积化学性质。例如，如果使用等离子，则必须使用至少99.5％的氧化铝。等离子耐腐蚀是半导体制造设备中部件的主要特性。 氮化铝（AlN）是一种共价键化合物，具有六方纤锌矿结构，晶格参数a=3.114和c=4.986。颜色通常为灰色，是典型的III-V宽带隙半导体材料。 氮化铝陶瓷具有强度高、体积电阻率高、绝缘耐压高、热膨胀系数大、与硅匹配性好等特点。它们非常适合半导体基板、陶瓷电子基板和结构封装材料。在电子行业的潜力巨大。 Innovacera是一家成立于2012年的先进陶瓷元件制造商，在陶瓷行业拥有丰富的经验，由优秀的团队严格控制产品质量和检验。我们提供超出现有产品的定制解决方案。我们热忱欢迎客户建立合作关系，与我们共创美好未来。 欲了解更多信息，请通过以下方式联系我们： 厦门英诺华先进材料有限公司 中国福建省厦门市火炬高新区嘉禾路588号6楼A座 电话：86-592-5589730 电子邮件：sales@innovacera.com 网站：www.innovacera.com
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News | January 01,1970
高温炉用途に適した窒化ホウ素セラミック部品

窒化ホウ素は白黒鉛と呼ばれ、構造は黒鉛と似ており、良好な電気絶縁性、熱伝導性、優れた熱衝撃耐性と化学安定性を持っています。窒化ホウ素セラミックスは、窒化ホウ素粉末を顧客の要求する寸法規格に従って、熱圧焼結により製品ブロックに加工します。 動作温度が1500℃より明らかに高い高温炉の設計には、炭素、タングステンからなる加熱素子が採用されています。通常、これらの素子は高温酸化物セラミックスを用いて炉側と電気的に絶縁されています。 この分野では、チューブ、ガスケット、スリーブ、絶縁体、絶縁板、ボビン、フランジ、その他の高熱応力を受ける部品など、精密に加工された部品を提供することができます。
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News | January 01,1970
窒化アルミニウムセラミックス——電子応用の絶好の解決策

窒化アルミニウム（AlN） は高い熱伝導性と強い抵抗性を兼ね備え、AlNを多くの電子応用の絶好のソリューションにしました。通常も断熱性を有する電気絶縁材料の多くとは異なります。AlNは、最高効率を維持するために電気システムを急速に放熱することができます。 生産方法が異なるため、窒化アルミニウムには2種類があり、1つはAlNを直接焼結し、もう1つは熱圧AINで、それらの色も異なり、伝統的な色は灰色で、熱圧AINは黒色です。 窒化アルミニウムのメリット： 放熱性が良く、熱伝導率が170 W/mKに達する 熱膨張係数はSi、GaN、GaAs半導体に類似している 誘電強度が高い さらに興味がある場合は、お問い合わせください。
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News | January 01,1970
先进陶瓷厚膜金属化的优势

陶瓷金属化是一种在陶瓷表面沉积一层金属以提供可湿润表面以供后续钎焊的工艺。 INNOVACERA 将精密陶瓷部件金属化，用于电网管、真空断路器和类似应用。我们的金属化部件用于由我们的内部团队或其他钎焊供应商和 OEM 钎焊的关键组件。我们的金属化可与许多不同的陶瓷体形成牢固而牢固的结合，并且几乎普遍适用于陶瓷与金属的钎焊。 优点： ♦ 牢固、坚固的结合 ♦ 最小的基材变形 ♦ 普遍适用于陶瓷金属连接 ♦ 加工速度快 ♦ 涂层、厚度和密度均匀
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News | January 01,1970
为什么真空吸盘要使用微孔陶瓷

真空吸盘用于半导体电子芯片（如晶圆）的减薄、切割、清洗、搬运等工序。为什么要选择微孔陶瓷真空吸盘？ 1、晶圆抛光清洗过程中，抛光液、水雾进入工作台面，造成腐蚀。而微孔陶瓷真空吸盘具有抗腐蚀性能。 2、微孔陶瓷真空吸盘不像橡胶或其他材质的真空吸盘那样，没有光、热、电磁等环境污染。而橡胶或其他材质的真空吸盘会直接与物品表面接触，所以非常容易磨损。 因此，多孔陶瓷具有耐高温和耐化学腐蚀、结构轻、电绝缘等特点，是真空吸盘的最佳选择。 3、微孔陶瓷以其特殊的多孔结构，孔洞非常小，可以加工成非常精密的平面度。结合特殊的气道设计，当给予一定的负压时，晶圆可以平稳稳定地吸附在真空吸盘上，避免晶圆在表面造成划痕和凹痕。 通过真空吸盘的聚焦点和吸力的配合，可以将不同尺寸的晶圆吸附在同一陶瓷表面上。 4、微孔陶瓷真空吸盘经过重新研磨后可重复使用，从而提高材料的利用率。 检测视频：
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News | January 01,1970
适用于高温炉应用的氮化硼陶瓷部件

氮化硼又称白石墨，结构与石墨相似，具有良好的电绝缘性、导热性、优异的抗热震性和化学稳定性。氮化硼陶瓷是将氮化硼粉末根据客户要求的尺寸规格，通过热压烧结加工成产品块。 工作温度明显高于1500°C的高温炉设计采用了由碳、钨制成的加热元件。通常，这些元件使用高温氧化物陶瓷与炉侧电绝缘。 在这一领域，我们可以提供精密加工的部件，例如管、垫圈、套管、绝缘子、绝缘板、线轴、法兰和其他承受高热应力的部件。
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News | January 01,1970
技术陶瓷元件在半导体行业中的应用

技术陶瓷部件是半导体制造设备不可或缺的一部分，技术陶瓷部件纯度高，微量金属含量低，这意味着它们可以构成 CVD、PVD、等离子蚀刻和离子注入的工艺室材料或内部工艺表面，其强介电性能非常有益，因此在半导体工业中得到广泛应用。 半导体行业使用先进的技术陶瓷，包括氧化铝陶瓷 (AL2O3)、氮化铝 (ALN)、多孔陶瓷、氮化硼 (BN)、热解氮化硼 (PBN) 和碳化硅 (SiC)。 PBN主要用于金属氧化物（MOCVD）沉积工具中的坩埚，主要的单晶生长方法是LEC和VGF，因此需要PBN LEC和VGF坩埚。PBN分子束外延（MBE）坩埚是当今世界上最重要的III-V族和II-VI族半导体晶体外延生长工艺之一。PBN坩埚是该工艺中蒸发元素和合成材料的最佳容器。蒸发坩埚周围的PBN环用于OLED设备。 更多用于半导体行业的陶瓷零件如下： 用于 PVD ​​和 MOCVD 设备的氮化硼陶瓷绝缘体部件。 多孔陶瓷广泛用于真空卡盘。 用于 IC 封装的金属化陶瓷部件。 氧化铝陶瓷和氮化铝通常用于室内部的静电卡盘。Innovacera 制造用于末端执行器的陶瓷晶圆（通常称为机器人的手），陶瓷末端执行器具有良好的刚度和高强度，因此机器人手臂可以更快地稳定到最终位置。末端执行器构成机器人手臂的末端，用于在位置之间处理和移动半导体晶圆。 陶瓷材料的选择取决于其将要暴露的沉积化学性质。例如，如果使用等离子，则必须使用至少99.5％的氧化铝。等离子耐腐蚀是半导体制造设备中部件的主要特性。 氮化铝（AlN）是一种共价键化合物，具有六方纤锌矿结构，晶格参数a=3.114和c=4.986。颜色通常为灰色，是典型的III-V宽带隙半导体材料。 氮化铝陶瓷具有强度高、体积电阻率高、绝缘耐压高、热膨胀系数大、与硅匹配性好等特点。它们非常适合半导体基板、陶瓷电子基板和结构封装材料。在电子行业的潜力巨大。 Innovacera是一家成立于2012年的先进陶瓷元件制造商，在陶瓷行业拥有丰富的经验，由优秀的团队严格控制产品质量和检验。我们提供超出现有产品的定制解决方案。我们热忱欢迎客户建立合作关系，与我们共创美好未来。 欲了解更多信息，请通过以下方式联系我们： 厦门英诺华先进材料有限公司 中国福建省厦门市火炬高新区嘉禾路588号6楼A座 电话：86-592-5589730 电子邮件：sales@innovacera.com 网站：www.innovacera.com