窒化アルミ(ALN)セラミックス部品
窒化アルミ(ALN)セラミックスは、窒化アルミニウム（AlN）化合物を主成分とする高性能セラミックス材料であり、様々な高温、高周波、高出力のエンジニアリング用途に適しています。 窒化アルミ(ALN)セラミックスは、熱伝導性、絶縁性、化学的安定性、高い機械的強度、低い熱膨張係数を有しています。 電子パッケージング、レーザー技術、マイクロ波およびRF用途、高温環境用途、光学機器など、幅広い用途に使用できます。
窒化アルミ(ALN)セラミックスの特性：
良好な機械的特性、Al2O3やBeOセラミックスよりも高い曲げ強度。 高い耐熱性と耐食性。 高い熱伝導性と良好な電気絶縁性を併せ持つ。 広範囲の溶融塩にさらされた場合の優れた安定性。 少なくとも1500℃までの熱安定性。 良好な機械的特性は高温領域まで及ぶ。 低熱膨張と耐熱衝撃性。 特殊な光学特性と音響特性。成形加工：
セラミック射出成形 低圧射出成形 冷間静水圧プレス ドライプレス 鋳造成形 精密機械加工窒化アルミ(ALN)セラミックス：
高出力システム用AlNセラミックヒートシンク 窒化アルミニウムるつぼ、アルミニウム蒸発皿、その他の高温耐食部品 直接接合銅基板 (DBC) 窒化アルミニウムセラミック棒 ALNセラミックシート ALNセラミック基板 窒化アルミニウムセラミックヒーター カスタマイズ形状窒化アルミ(ALN)セラミックスの用途：
半導体製造装置用部品 集積回路パッケージング サーマルモジュール基板 ハイパワートランジスタモジュール基板 高周波デバイス用基板 サイリスタモジュール用発熱絶縁基板 半導体レーザー、発光ダイオード（LED）固定基板 ハイブリッド集積モジュール、点火デバイスモジュール 構造セラミックス用焼結 金属溶解および電子タバコ用窒化アルミニウムるつぼ 発光材料への応用 基板材料への応用 窒化アルミニウム（ALN）は、最大6.2eVの直接バンドギャップ幅を持ち、間接バンドギャップ半導体よりも高い光電変換効率を実現します。重要な青色および紫外発光材料として、ALNは紫外/深紫外発光ダイオード、紫外レーザーダイオード、紫外検出器に使用されています。さらに、ALNは、GaN、InNおよび他のIII族窒化物化合物と連続的な固溶体を形成することができ、その3元または4元合金は、可視帯域から深紫外帯域まで連続的に調整可能なバンドギャップを達成することができ、重要な高性能発光材料となっています。 ALN結晶は、GaN、ALGaN、ALN エピタキシャル材料にとって理想的な基板です。ALN は、サファイアや SiC 基板に比べ、GaN との熱的整合性、化学的適合性が高く、基板とエピタキシャル層間の応力も低いため、GaN エピタキシャル基板としての ALN 結晶は、デバイスの欠陥密度を大幅に低減することができます。従って、GaN エピタキシャル基板としての ALN 結晶は、デバイス中の欠陥密度を大幅に低減し、 デバイスの性能を向上させることができ、高温、高周波、高出力の電子デバイスの作製において良好 な応用見通しを有します。 また、ALN結晶を高Al成分とするALGaNエピタキシャル材料基板は、窒化物エピタキシャル層の欠陥密度を効果的に低減することができ、窒化物半導体デバイスの性能と寿命を大幅に向上させることができます。ALNセラミック基板の一般仕様：
長幅：25.4mmx50.8mm、 63.5mmx76.2mm、101.6mmx114.3mm、127mmx152.4mm。 厚さ：0.25mm、0.5mm、 0.63mm、1mm、1.5mm、2mm。By Materials
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