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イオン源用窒化アルミニウム/窒化ホウ素複合BN-AlNセラミック部品
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BN+ALN
Boron Nitride&Aluminum Nitride

イオン源用窒化アルミニウム/窒化ホウ素複合BN-AlNセラミック部品

BN-ALNセラミックスは、窒化ホウ素粉末と窒化アルミニウム粉末を焼結したセラミックスです。
優れた電気絶縁性、良好な熱伝導性、高強度、耐熱衝撃性、耐ハロゲンガスプラズマ性を有し、半導体製造装置用部品、放熱効果を必要とする部品など幅広い用途に使用されています。

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イオン源は、真空チャンバー内で原子イオンや分子イオンを発生させる装置です。 窒化ルミ (AIN)/窒化ホウ素 (BN)複合材料は、電気絶縁性、熱伝導性、真空シール性に優れ、ガスをあまり放出しないです。 そのため、イオン源のヒートシンクおよび伝熱板として機能します。 素材特徴:
  • 高機械的強度。
  • 高熱伝導率。
  • 低熱膨張係数。
  • 低誘電損失。
  • 優れた電気絶縁性。
  • 高い耐食性 - 溶融金属が浸入しない。
  • 優れた機械加工性 - BN-AlNは高精度で複雑な形状に機械加工できる。
  • ガスを多く放出することなく、真空に対する優れた密閉性。
  • 可視赤外線を通しやすい高周波特性。
素材特性:
特性 単位 BAN
主要成分 / BN+ALN
/ 灰緑色
密度 g/cm3 2.8~2.9
3点曲げ強度 MPa 90
圧縮強度 MPa 220
熱伝導率 W/m·k 85
熱膨張係数(20-1000℃) 10-6/K 2.8
最高使用温度 大气 ℃ 900
ガス ℃ 1750
真空 ℃ 1750
用途
  • 自動車用ラジエーター
  • 真空エレメント
  • 低誘電率と誘電正接を必要とする部品
  • 低熱膨張係数を必要とする部品および構成部品
  • 電気絶縁と放熱を必要とする電子部品
  • 電気ホール効果スラスター用推進放電路

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