アルミセラミック基板_半導体セラミック部品
アルミセラミック (Al₂O₃) 基板_半導体セラミック部品とノズルは、その優れた電気的、熱的、機械的特性により、ディスペンサー装置や電子発電機部品などの半導体プロセス装置に広く使用されています。
アルミセラミック基板は、非常に優れた電気絶縁性と高い熱伝導性を有しており、半導体産業において非常に重要な役割を果たしています。
| 項目 | 試験条件 | 単位と記号 | 95% Al2O3 | 99% Al2O3 | 99.7% Al2O3 |
| 主な化学成分 | Al2O3 | Al2O3 | Al2O3 | ||
| 体積密度 | g/cm3 | 3.6 | 3.89 | 3.96 | |
| 最高使用温度 | 1450°C | 1600°C | 1650°C | ||
| 吸水率 | % | 0 | 0 | 0 | |
| ビッカーズ硬さ | ≥85 | ≥89 | ≥89 | ||
| 曲げ強度 | 20° C | MPa (psi x 103) | 358 (52) | 550 | 550 |
| 圧縮強度 | 20° C | MPa (psi x 103) | 2068 (300) | 2600(377) | 2600(377) |
| 破壊靱性 | K(I c) | Mpa m1/2 | 4 - 5 | 5.6 | 6 |
| 熱膨張係数 | 25-1000° C | 1X 10-6/°C | 7.6 | 7.9 | 8.2 |
| 熱伝導率 | 20° C | W/m °K | 16 | 30 | 30.4 |
| 耐熱働撃率 | Tc | °C | 250 | 200 | 200 |
| 絶縁破壊強度 | 1MHz.25°C | 9 | 9.7 | 9.7 | |
| 絶縁破壊強度 | 交流-kV/mm (交流 V/mil) | 8.3 (210) | 8.7 (220) | 8.7 (220) | |
| 体積抵抗率 | 100°C | Ω-cm | > 10^13 | > 10^14 | 14 |
By Materials
Application
Download
How to get a quote?
We will support your project with the required technical and developmental support
Inquiry
Proposal
Order
Production
Delivery