我们的热解氮化硼 (PBN) 采用化学气相沉积 (CVD) 工艺处理。性能卓越的 PBN 是炉、电气、微波和半导体元件的理想选择。
分子束外延 (MBE) 是当今世界上最重要的 III-V 族和 II-VI 族半导体晶体外延生长工艺之一。
MBE 中使用的束源坩埚需要具有耐高温、高纯度、使用寿命长等特点。 PBN 坩埚完全可以满足上述要求。它是 MBE 工艺中蒸发元素和化合物的理想容器。
如需了解有关我们的热解氮化硼材料的更多信息，请立即联系我们。
Solución de paso de RF de alto voltaje: Conector coaxial tipo HN con montaje de brida
Solución de paso de RF de alta tensión: Conector coaxial tipo HN con montaje de brida En sistemas de RF de alta tensión,…
