当社は、お客様のご要望に合わせてセラミックパッケージと金属パッケージシェルを開発しています。工場は、セラミックおよびガラス材料の研究開発、グリーンセラミックのテープキャスティング、マイクロ波/RFシミュレーション、セラミックパッケージシェル/基板を含むパッケージング技術、ろう付け/シーリング、表面処理プロセスにおいて確固たる能力を確立しており、お客様に包括的かつ統合的なパッケージングソリューションを提供しています。
当社は、セラミックと金属の接合技術を用いた半導体ディスクリートデバイス用パワーエレクトロニクス向けセラミックパッケージを提供しています。このセラミックパッケージは、従来のビーズ型絶縁セラミック設計に代わり、セラミックサイドウォール構造を採用することで、ハウジングの耐電圧性能を大幅に向上させています。銅芯コバールリードピンとWCuヒートシンクは、多層アルミナセラミックパッケージまたは窒化アルミニウムセラミックパッケージに接合されています。主に高出力トランジスタ、ダイオード、三極管、パワーモジュールの封止に使用されます。
セラミックパッケージの電流容量:
| 典型的なTOスタイルパッケージ | ||
| パッケージモデル | TO-254 | TO-257 |
| めっき構造 | Ni+Au | Ni+Au |
| ヒートシンクの材質 | WCu | WCu |
| セラミックサイズ (mm) | 9.6×9.6 | 7.5×6.0 |
| リード径 | 鉛材料 | 最大電流容量 |
| 1.0mm | 銅芯コバール | 20A max |
| 0.8mm | 銅芯コバール | 15A max |
| 1.0mm | コバール | 60A max |
| 0.8mm | コバール | 45A max |
セラミックパッケージの特長：
ヒートシンク材質：WCu、CPC、CMCなど
リード材質：銅芯コバール、銅
絶縁抵抗：1010Ω（500V）
耐電圧：> 1000V
リークレート：≤1×10³Pa ·cm³/s
メッキオプション：全面ニッケルメッキ、全面Ni/Auメッキ
封止方法：パラレルシーム溶接
温度サイクル：-65℃～+175℃、500サイクル
パワーエレクトロニクスや半導体ディスクリートデバイスセラミックパッケージにご興味がございましたら、当社の営業チーム (sales@innovacera.com) までお問い合わせください。
