氮化铝陶瓷常用的烧结方法
要制备高导热率的AlN陶瓷，在烧结过程中必须解决两个问题：一是提高材料的致密化，二是尽量避免氧原子溶解在高热导率的晶格中。 常温烧结。 常见的烧结方法有以下几种：
1、常压烧结
2、热压烧结
3、高压烧结
4、气氛烧结
5、放电离子烧结
6、微波烧结
这次我们重点关注热压氮化铝：
为了降低氮化铝陶瓷的烧结温度，促进陶瓷的致密化，可以采用热压烧结的方式制备氮化铝陶瓷，这是制备高导热致密化AlN陶瓷的主要工艺方法之一 。 所谓热压烧结，即在一定的压力下对陶瓷进行烧结，可以同时进行加热烧结和加压成型。 通过在25 MPa高压、1700℃下烧结4 h，制得密度为3.26 g/cm3、导热率为200 W/(m.K)的AlN陶瓷烧结体。 AlN晶格氧含量为0.49 wt%，比1800℃烧结8 h得到的AlN烧结体（1.25 wt%）降低了60%以上，导热系数有所提高。
厦门英诺陶瓷新材料有限公司
拥有先进的氮化铝陶瓷材料生产线和高精度加工能力。 目前我们可以生产6-12英寸不同尺寸的氮化铝陶瓷圆片，以及直径达320mm、厚度超过26mm的大型氮化铝陶瓷板。 这些大尺寸 ALN 陶瓷晶片可用于生产高导热氮化铝加热垫。
