热压氮化铝 (AlN) 陶瓷在半导体制造设备中用作晶圆加热板和晶圆固定静电吸盘。
热压 ALN 氮化铝陶瓷的优点：
– 高纯度
– 电绝缘体
– 高导热性
– 关键热管理材料
– 减少颗粒物产生
– 耐腐蚀/侵蚀
– 可控电气性能
性能：
| 性能 | 单位 | 值 |
| 抗弯强度，MOR (20 °C) | MPa | 300-460 |
| 断裂韧性 | MPa m1/2 | 2.75-6.0 |
| 热导率 (20 °C) | W/m K | 100-170 |
| 热膨胀系数 | 1 x 10-6/°C | 3.3-5.5 |
| 最高使用温度 | °C | 800 |
| 介电强度 (6.35mm) | ac-kV/mm | 16.0-19.7 |
| 介电损耗 | 1MHz, 25 °C | 1 x 10-4 至 5 x 10-4 |
| 体积电阻率 (25°C) | Ω-cm | 1013 至 1014 |
典型应用：
– 盖板和 MRI 设备（磁共振成像）
– 高功率探测器、等离子发生器、军用无线电
– 半导体和集成电路的静电吸盘和加热板
– 红外和微波窗口材料
热压氮化铝晶片
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