电子封装基板种类繁多，常用的基板主要分为塑料封装基板、金属封装基板和陶瓷封装基板。塑料封装材料通常导热系数较低，可靠性较差，不适合高要求场合。金属封装材料导热系数高，但一般热膨胀系数不匹配，价格昂贵。
电子封装常用的是陶瓷基板。陶瓷基板与塑料、金属基板相比，具有以下优点：
1.绝缘性能好，可靠性高；
2.介电系数低，高频性能好；
3.膨胀系数低，热导率高；
4.气密性好，化学性质稳定，对电子系统有较强的保护作用。
因此适用于航空、航天等高可靠性、高频、耐高温、气密性好的产品封装。超小型片式电子元器件广泛应用于移动通讯、计算机、家用电器、汽车电子等领域，其载体材料通常采用陶瓷基板封装。
目前，电子封装常用的陶瓷基板材料有氧化铝（Al2O3）、氮化铝（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）、氮化硼（BN）。
各种材料基板的应用领域如下：
1.氧化铝陶瓷基板
Al2O3陶瓷基板虽然产量大，应用范围广，但其热导率比硅单晶高，限制了其在高频、大功率及超大规模集成电路中的应用。
2.氮化铝陶瓷基板
AlN陶瓷的核心原料AlN粉末制备工艺复杂，能耗高，周期长，价格昂贵，高成本限制了AlN陶瓷的广泛应用，因此AlN陶瓷基板主要应用于高端行业。
3.氮化硅陶瓷基板
Si3N4陶瓷介电性能较差（介电常数为8.3，介电损耗为0.001～0.1），且生产成本较高，限制了其作为电子封装陶瓷基板的应用。
4.碳化硅陶瓷基板
SiC介电常数太高，为AlN的4倍，且抗压强度低，只适合于低密度封装，不适用于高密度封装。除用于集成电路元件、阵列元件、激光二极管等外，还用于导电结构元件。
6、氮化硼陶瓷基片
BN具有热导率高、热导率几乎不随温度变化、介电常数小、绝缘性能好等优点，广泛应用于雷达窗口、大功率晶体管管基座、管壳、散热片及微波输出窗口等领域。
各种材质陶瓷基板性能：
| 性能 | 性能 | 单位 | ALN | AI2O3 | SiC | BN | Si3N4 | |
| 含量 | % | 95 | 96.0 | 99.5 | / | 99-997 | / | |
| 密度 | g/cm3 | ≥3.32 | 3.72 | 3.90 | ≥3.03 | 1.6-2.0 | 3.26±0.05 | |
| 热性能 | 最高使用温度 | ℃ | 800 | 1700 | 1750 | 1300 | 900-2100 | / |
| 导热系数 | （W/m·K）20℃ | / | 24.70 | 30.00 | 90-110 | 35-85 | / | |
| （W/m·K）100℃ | 170 | / | / | / | / | / | ||
| 热膨胀 | ×10-6℃(25~400℃) | 4.4 | / | / | 4.0 | 0.7~7.5 | 3.0-3.2 | |
| ×10-6℃(25~800℃) | / | 8.2 | 8.2 | / | / | / | ||
| ×10-6℃(20~100℃) | / | / | / | / | 1.5-2.8 | / | ||
| 电气性能 | 电阻率(Ω*cm) | Ω·cm (25℃) | ＞1014 | ＞1015 | >1015 | / | ＞1014-＞1013 | >1018 |
| Ω·cm (300℃) | / | / | / | / | / | / | ||
| 介电常数 | 1MHz(10±0.5)GHz | 8.9 | 8.3 | 8.7 | 40 | 4.0 | 9.4 | |
| 介电损耗 | (×10-4)(1Hz) | 3~10 | 0.0002 | 0.0001 | / | / | / | |
| 耐电压 | (kV*mm-1) | 15 | 10 | 10 | 0.07 | 300～400 | 100 | |
| 力学性能 | 硬度(HV) | MPa | 1000 | 25 | 91-93(HRA) | / | 160-1800 | |
| 弯曲强度 | MPa | ≥410 | 300～350 | ≥350 | 40～80 | 700-800 | ||
| 弹性模量 | GPa | 320 | 370 | 350 | / | 320 | ||
| 毒性 | / | （W/m·K）20℃ | 无 | 无 | 无 | 无 | 否 | |
