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Boron Nitride BN Ceramic Bushings For Ion Sources
Boron Nitride Bushing
Boron Nitride BN Ceramic Bushings For Ion Sources
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窒化ホウ素ブッシング

窒化ホウ素はイオン源で一般的に使用される材料です。絶縁体、ブッシング、内部支持構造などに用いられますが、その理由は単純明快です。優れた絶縁性、良好な耐熱性、そして真空およびプラズマ環境下での安定性を備えているからです。

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イオン源の環境は、高電圧、高温、プラズマ曝露、真空、腐食性ガスといった過酷な条件が同時に存在することが多く、材料が不安定な場合、問題がすぐに発生します。BNは、これらの条件下でバランスの取れた性能を発揮します。

1. BN絶縁体

代表的な用途:

- アノードとカソード間の絶縁
- 抽出電極間の絶縁
- 高電圧電極の支持絶縁

kVレベルの電圧では、絶縁安定性が極めて重要です。材料がトラッキングや局所的な絶縁破壊を起こすと、システムの信頼性が低下します。BNは体積抵抗率が高く、高電圧下でも安定性を維持します。

2. BNセラミックブッシング

ブッシングは通常、電極がチャンバー壁を貫通する箇所に設置されます。

主な機能:

- 電極をチャンバーから電気的に絶縁する
- 真空チャンバー内の高電圧ロッドを保護する
- 金属同士の直接接触を防止する

簡単に言うと、BNは高電圧を接地構造から分離する役割を果たします。プラズマ照射下では、表面は常にプラズマの衝撃を受けます。BNは一般的に、このような環境下では標準的なアルミナよりも長寿命です。寸法安定性も重要です。イオン源内部の空間は狭く、非常にデリケートな場合が多いからです。

3. 絶縁支持部材

BNはイオン源内部の構造支持部材としても使用されます。

例えば:

- 電極位置決め支持部材
- フィラメントホルダー
- ヒーターブラケット

これらの部品は高温域で動作することが多く、材料が過度に膨張したり、亀裂が生じたりすると、位置ずれが発生する可能性があります。BNは熱膨張係数が比較的低く、加工も容易です。AlNと比較すると、複雑な形状の部品の加工において、BNははるかに加工性に優れています。

よくある質問

イオン源に窒化ホウ素を使用する理由は何ですか?アルミナや窒化アルミニウムと比較した場合の主な利点は何ですか?

窒化ホウ素(BN)は、高電圧、極度の高温、プラズマ照射といった過酷なイオン源条件下でも優れた安定性を発揮します。標準的なアルミナと比較して、BNは連続的なプラズマ照射下でもはるかに長持ちします。さらに、熱膨張係数が低いため、アライメントの問題を防ぎ、窒化アルミニウム(AlN)よりも複雑な形状への加工がはるかに容易です。

イオン源におけるBNの主な用途は何ですか?BN絶縁体とブッシングはどのように機能しますか?

BNは主に絶縁体、セラミックブッシング、および内部構造支持材として使用されます。BN絶縁体は、陽極、陰極、および抽出電極間の重要な高電圧絶縁を提供し、電気的破壊を防ぎます。一方、BNブッシングは、高電圧電極を接地された真空チャンバー壁から電気的に絶縁し、金属同士の接触を防ぎ、狭い空間でのシステムの信頼性を確保します。

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